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SJ/T 11488-2015: 반절연 GaAs 단결정의 저항률, 홀 계수 측정 및 홀 이동도 결정을 위한 시험 방법
SJ/T 11488-2015
에스제이
전자 산업 표준
중화인민공화국의
ICS 29.045
높이 83
신청 번호: 50545-2015
저항률, 홀 계수 및 측정을 위한 테스트 방법
반절연 GaAs 단일 홀 이동도 측정
결정체
발행일: 2015년 4월 30일
구현일: 2015년 10월 1일
발행처: 중화인민공화국 산업정보기술부
목차
서문 ... 3
1 범위 ... 4
2 규범적 참조 ... 4
3 용어 및 정의 ... 4
4 방법의 원칙 ... 4
5 간섭 요인 ... 5
6 악기 ... 5
7 환경 요구 사항 ... 5
8 샘플 준비 ... 5
9 측정 절차 ... 5
10 계산 ... 6
11 정밀도 ... 7
12 보고서 ... 7
저항률, 홀 계수 및 측정을 위한 테스트 방법
반절연 GaAs 단일 홀 이동도 측정
결정체
1 범위
본 표준은 저항률, 홀 계수 및 측정 방법을 규정합니다.
반절연성 GaAs 단결정에서 홀 이동도를 결정합니다.
본 표준은 반절연체의 전기적 매개변수 측정에 적용됩니다.
저항률이 104 Ω•cm ~ 109 Ω•cm 범위인 GaAs 단결정입니다.
2 규범적 참조
다음 문서는 이 문서의 적용에 필수적입니다. 날짜가 지정된 문서의 경우
문서의 경우, 표시된 날짜가 있는 버전만 이 문서에 적용됩니다.
날짜가 없는 문서의 경우 최신 버전(모든 수정 사항 포함)만 해당됩니다.
이 표준에 적용됩니다.
GB/T 4326 외인성 반도체 단결정 홀 이동도 측정
그리고 홀 계수
GB/T 14264 반도체 재료 - 용어 및 정의
3 용어 및 정의
이 문서에는 GB/T 14264에 정의된 용어와 정의가 적용됩니다.
방법의 4가지 원칙
직사각형 반도체에 X축 방향으로 전류 I가 흐르면
시트, 그리고 Z축 방향으로 자기장 B가 인가되면 전위차가 발생합니다.
VH는 전류와 자기장에 수직인 방향으로 생성됩니다.
필드(즉, Y축 방향)입니다. 이 현상을 홀 효과라고 하며, VH
홀 전압이라고 합니다. 홀 효과의 원인은 전하의 로렌츠 힘입니다.
전류의 방향성 운동을 형성하는 입자, 즉 캐리어
자기장. 홀 효과는 전기적 매개변수를 측정하는 데 사용할 수 있습니다.
반절연성 GaAs 단결정.
5가지 간섭 요인
측정 온도, 오믹 접촉 전극 준비 등은 모두 영향을 미칩니다.
측정 결과.
6개 악기
측정 장비는 다음과 같은 부분으로 구성됩니다.
a) 홀 테스트 시스템. 적용된 자기장 강도는 0.3 T ~ 1.0 T입니다.
샘플 측정 범위 내에서 자기장의 균일성이 더 좋습니다.
1% 미만; 입력 임피던스는 1013Ω보다 낮습니다. 전류 정확도
소스는 1%보다 우수하고 온도 정확도는 0.1 °C보다 우수합니다.
b) 마이크로미터, 정확도 ±0.01 mm
c) 빛으로부터 보호되는 샘플 홀더.
7 환경 요구 사항
주변 온도는 22 °C ~ 24 °C이고 상대 습도는 60% 미만입니다.
시험 차폐실에는 기계적 충격, 진동 또는 전자기파가 없어야 합니다.
간섭.
8 샘플 준비
8.1 시편의 절단, 연삭, 세척
GB/T 4326의 요구 사항을 따라 절단, 연삭, 세척을 수행합니다.
표본.
8.2 Ohm 접촉 전극
GB/T 4326의 요구 사항을 따르고 In, AuGe/Au 또는 AuGe/Ni 합금을 사용하여 준비합니다.
오믹 접촉 전극.
9 측정 절차
GB/T에 명시된 측정 단계에 따라 측정을 수행합니다.
4326.